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三星將在2019年帶來超快速的智能手機存儲到2020年將實現更快的RAM

盡管某些技術不斷進步,從而提供了性能的穩定增長,但其他技術卻取得了飛躍式發展,每隔幾年就會帶來巨大的改進。對于存儲和RAM,后者就是這種情況。作為內存模塊制造的領導者,三星向我們展示了智能手機何時可以期待下一個“飛躍”。這是在高通公司在香港舉辦的一次活動中發生的,該活動的重點是4G和即將到來的5G。

在三星移動存儲產品計劃負責人的一次演講中,我們透露了下一代閃存存儲(稱為UFS 3.0)將于2019年進入移動設備。如果您想了解有關UFS和當前使用的標準的更多信息,UFS 2.1,您可以查看我們的文章,其中解釋了所有內容。

簡而言之,UFS是現代智能手機用于從操作系統到照片和視頻的所有存儲的類型。每個內存芯片都具有最大的讀寫文件速度,更高的速度使您的設備感覺更敏捷,響應能力更強。UFS 3.0芯片將使用三星最新的3D NAND技術制造,這將使該公司不僅可以將更多的存儲空間填充為相同大小,還可以使其速度提高兩倍。

新芯片的第一批浪潮將提供三種變體:128GB,256GB和512GB,預計2021年將提供1TB選件。這意味著我們將與擁有64GB存儲空間的旗艦手機說再見,因為我們應該花很長時間前。另一方面,這可能是制造商提高價格的另一個原因。無論哪種方式,新芯片不僅會流連忘返,而且隨著5G和超高清(和高FPS)視頻記錄和回放的推出,新芯片被認為是必不可少的。

LPDDR5 RAM形式是2020年的又一重大進步。三星的DDR5內存將顯著提高最大帶寬:51.2GB / s(目前約為25GB / s),同時電源效率提高20%。RAM對于手持設備的性能也非常重要,因為RAM是存儲您當前正在使用的應用程序的地方,以及操作所需的其他東西。自從2014年推出LPDD4以來,向LPDDR5的轉換將是第一款主要的內存升級電話。

不用說,這些組件的速度還不夠快,但是看來我們至少要等幾個月。我們將動手使用UFS 3.0 手機,甚至更多,然后才能體驗更快的內存。

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